TH199X系列的7个型号容易被简化为“1通道和2通道”两组，但同通道数内部的A/B/无后缀差异，对测试能力的影响与通道数差异同等重要。先看四维度对比表（参数依据同惠电子官方资料整理，与产品详情页数据一致，此处侧重差异解读）。

7型号四维度对比表

七个型号在四个维度上的梯度可归纳为：TH1991C电压量程±63V、直流电流±1.515A、无脉冲输出，源与测量分辨率分别为1pA与100fA，最小采样间隔50μs；TH1991B与TH1992B电压量程±210V、直流电流±3.03A、脉冲电流±10.5A，源与测量分辨率分别为100fA与10fA，间隔20μs；TH1991A与TH1992A量程电流同前，源与测量分辨率分别为1pA与100fA，间隔10μs；TH1991与TH1992源与测量分辨率均为10fA，间隔1μs。其中双通道型号为TH1992B、TH1992A与TH1992。

维度一：电压量程

这一维只有两种取值：±63V和±210V，边界很清晰。TH1991C是唯一限制在±63V的型号，其余6个型号全部到±210V。影响也很直接：TH1991C覆盖不了需要高于63V偏置的测试——比如部分功率半导体的耐压评估、高压光伏模组。反过来，如果测试对象最高电压就在60V以下，TH1991C的量程刚好匹配；但若产线未来可能上高压测试，TH1991C就会成为瓶颈，选型时要把这个“未来窗口”算进去。

维度二：电流能力与脉冲

TH1991C直流电流±1.515A、无脉冲输出；其余6个型号直流±3.03A、脉冲±10.5A，脉宽最小50μs。脉冲能力的有无，直接决定型号能不能用于MOSFET/IGBT的导通特性评估——因为直流大电流会让器件自热，Rds(on)的真实值被热效应改掉，脉冲激励才能在不改变器件温度的前提下拿到读数。

维度三：分辨率（源与测量）

同通道数内部，A/B/无后缀的分水岭在分辨率和速度。逐档看：TH1991C电流源分辨率1pA、测量分辨率100fA；B档源分辨率升到100fA、测量分辨率10fA；A档源分辨率回到1pA、测量分辨率100fA；无后缀的TH1991/TH1992源与测量电流分辨率均为10fA、电压源分辨率100nV。落到使用上：B档已经能扛住多数半导体器件的暗电流和亚阈值特性测试；A档适合不需要fA级源输出精度、但需要微电流测量的场景；无后缀是源和测量同时到极限，前提是信号链（线缆、夹具、屏蔽）的噪声也做到fA级，否则分辨率被系统噪声淹没，钱花得不值。

维度四：最小采样间隔

TH1991C为50μs，B档20μs，A档10μs，无后缀档1μs。采样间隔决定动态过程的分辨能力：CC-CV切换、脉冲瞬态、快速扫描这类场景，间隔越小，数据点越密，拐点定位越准。若测试以静态或准静态参数为主，20μs的B档已经够用；只有关注瞬态行为时，A档或无后缀档才体现价值。

按需求的对比建议

先确定电压和脉冲需求（排除或纳入TH1991C），再在B/A/无后缀之间选择分辨率与速度档位，最后决定单通道或双通道。对比之后仍拿不准选哪个，可联系银飞电子工作人员，按实际需求定型号。