从MOSFET寄生电容的分布参数切入，解释测试频率升高后Ciss/Coss读数变化的物理原因，以及2MHz频率上限在什么场景下需要用到。

同一颗MOSFET，用100kHz测Ciss得到一个值，换到1MHz测，读数可能不一样。这不是仪器的问题，是电容本身的频率特性。

一、寄生电容不是理想电容

MOSFET内部的Cgs、Cgd、Cds不是理想的平行板电容。它们由半导体结构中的耗尽层电容和氧化层电容组成，还串联了栅极多晶硅电阻、沟道电阻等寄生电阻。这些电阻和电容构成了一个分布式的RC网络。

在低频下，RC网络的阻抗主要由电容决定，测到的就是电容值。频率升高后，电阻的阻抗占比增大，测量电路看到的等效阻抗不再是一个纯电容，读数开始偏离低频值。

二、测试频率越高，越接近器件实际工作状态

功率器件在开关过程中，栅极驱动信号的频率成分覆盖了从几十kHz到几MHz的范围。用1MHz测试频率测量Ciss，比用100kHz更接近器件在实际开关瞬态中的表现。

TH511的2MHz频率上限，覆盖了1MHz这个行业通用测试点，也覆盖了部分高频器件的测试需求。对于需要在更高频率下评估器件特性的场景，2MHz提供了余量。

三、不同频率下的C-V曲线形态

Ciss随VGS的变化曲线，在低频和高频下形态可能不同。低频下，耗尽层电容随栅极电压的变化被完整测量。高频下，部分慢速界面态来不及响应，测到的电容值偏小。TH511的2MHz频率上限，让用户可以在多个频率点下测量C-V曲线，观察频率对电容的影响。

四、参数解读表

五、不适用边界

频率特性的分析不适用于低频段（<100kHz）的常规测量。不适用于器件本身存在栅极漏电的异常情况。不适用于将高频读数直接等同于低频读数的场景。

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